【摘 要】
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本文利用慢正电子湮灭多普勒展宽谱和红外反射光谱等方法研究了SiO2/SiC热氧化层中的空位型缺陷和氧化层的致密性，以及退火前后的变化，并以SiO2/Si作为对比样品，说明C元素的存在及其诱生的空位型缺陷对SiO2/SiC氧化层质量和SiCMOS击穿特性造成的影响。实验结果证实，在没有经过退火处理的SiO2/SiC表面氧化层中含有比较多的空位型缺陷，退火过程使得空位型缺陷的浓度大幅度降低。C元素在S
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本文利用慢正电子湮灭多普勒展宽谱和红外反射光谱等方法研究了SiO2/SiC热氧化层中的空位型缺陷和氧化层的致密性，以及退火前后的变化，并以SiO2/Si作为对比样品，说明C元素的存在及其诱生的空位型缺陷对SiO2/SiC氧化层质量和SiCMOS击穿特性造成的影响。实验结果证实，在没有经过退火处理的SiO2/SiC表面氧化层中含有比较多的空位型缺陷，退火过程使得空位型缺陷的浓度大幅度降低。C元素在SiO2/SiC系统氧化层中生成的空位型缺陷是导致SiCMOS器件性能欠佳，击穿电压低的物理原因。热氧化退火能够提高氧化层的质量。但由于C的缺陷并不单一，氧化层结构比较复杂，改善SiCMOS器件击穿特性的最佳工艺条件还有待探讨。
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