二硫化钼（MoS₂）作为一种典型的二维材料^[1],凭其优异的性能广泛应用于光电子学^[2][3]、纳米器件^[4][5]、柔性电子器件^[6][7]等领域。近年来,低成本高质量制备二硫化钼,是其快速发展的关键所在。采用化学气相沉积法制备高质量的二硫化钼薄膜的同时也伴随着大量蓝宝石基片的消耗,并且在二硫化钼的转移过程中也存在许多难点。本文将生长过二硫化钼薄膜的蓝宝石进行基片处理,进行蓝宝石的回收利用,成功在处理后的蓝宝石基片上二次生长出二硫化钼薄膜,并探究了热处理对二次生长二硫化钼薄膜的影响。通过三种不同的转移方法对生长的二硫化钼薄膜进行转移研究,最终采用PS溶解辅助转移法,成功将双层二硫化钼薄膜从蓝宝石基底上转移至Si O₂/Si衬底。研究结果表明:空气中加热处理后的蓝宝石基片上生长的MoS₂薄膜比没有经过处理的蓝宝石基片上生长的薄膜更厚。空气中加热处理会使二次生长二硫化钼薄膜的形核点增多,更有利于薄膜长厚,但所得薄膜质量较差。经过空气加热去处理后,在钼源质量分别为1.0 mg、1.5 mg、2.0 mg条件下进行二次MoS₂薄膜沉积,在条件为1.5 mg时的二次生长的MoS₂薄膜相比1.0 mg和2.0 mg质量更好,此时MoS₂薄膜A_1g特征峰的强度为650,E_2g¹特征峰的强度为300,MoS₂薄膜PL特征峰强度为350。在氩气保护中加热处理对比空气中加热处理,证明了形核位点增多的原因是空气中的活性成分对蓝宝石表面进行了刻蚀,并产生易于二硫化钼形核的位点。空气中的活性物质会对基片表面进行刻蚀,基片表面会形成大量的活性位点,形核点增多,更有利于MoS₂薄膜的沉积。PS溶解辅助转移双层二硫化钼薄膜比使用胶带转移的效果更好,更适合二维二硫化钼薄膜的转移。