InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族纳米结构的制备及光电学性质研究

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【摘要】

：

InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构因其高的电子迁移率,大的波尔激子半径以及优异的光电学性质被越来越广泛地应用于光电子学领域。目前InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构主要通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD),分子束外延(MBE)等方法合成。然而,高昂的成本和传统Ⅴ族前驱体(如:AsH_3和AsO_3)的剧毒特性限制了这些方法的推广。本文基于传统的化学气相沉积法制备几种类型的Ⅲ-Ⅴ族

【作者】

：

陈新亮

【机构】

：

湖南大学

【发表日期】

：

2016年11期

【关键词】

：

InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体 GaInAsSb四元合金声子限域改进的化学气相沉积横向异质结纳米片光探测器

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