【摘 要】
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随着集成电路的飞速发展,对半导体器件的计算机模拟变得越来越重要。传统的计算机模拟主要是采用数值算法。 本文提出了一种半导体器件模拟的新方法,这种新方法将Adomian
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随着集成电路的飞速发展,对半导体器件的计算机模拟变得越来越重要。传统的计算机模拟主要是采用数值算法。 本文提出了一种半导体器件模拟的新方法,这种新方法将Adomian的变量分解思想用于强耦合、强非线性的半导体器件基本方程组的求解中。本文对这种方法的基本思想和实现方法进行了详细地描述,并将其运用于稳态二极管器件的模拟和研究SOI MOSFET的静态特性中,求解了器件中电势、载流子等参数的分布情况,导出了二极管的Ⅰ-Ⅴ特性,MOSFET的阈值电压、输出特性、转移特性等重要特性表达式。将获得的结果与数值计算结果进行了比较,两者基本相符,表明方法是可行的。而与数值方法相比,该方法具有概念清晰、使用方便、收敛速度快捷等优点。
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