超导物理研究领域革命性的发展往往来自于新型超导体材料的发现。尤其最近几年，最典型的突破就是的高温铜基和铁基超导体。2012年，新型层状超导体Bi4O4S3和LaO1-xFxBiS2的发现引起了各国专家的兴趣，比较晶体结构可知它们都具有一种类似NaCl结构的双BiS2层，即所谓的超导层。随后，许多相似的超导材料被合成出来，而合成的关键方法就是化学掺杂。本论文中，我们进行了多种化学元素掺杂来探究REOBiS2基的掺杂效应以期发现新的超导体。采用两步固相反应的实验制备方法，我们首先进行了Mo、Ti、Ir、Nd、Ta五种过渡金属元素对LaOBiS2阻隔层的掺杂探索，发现只有能稳定形成正五化合价的Ta5+元素成功的诱导了超导电性，印证了该体系超导电性由电子掺杂产生而非空穴掺杂;其次，我们用Pb元素分别尝试了LaOBiS2和YbOBiS2超导层和阻隔层的掺杂。结果来看，母相LaOBiS2两个不同位置上的掺杂都没有实现超导转变，而对电输运性产生了明显的影响，可能不同位置的掺杂引入了不同的载流子。而在YbOBiS2中的掺杂仅仅在2.8 K发生了反铁磁转变，这与稀土元素Yb本身的局域磁矩有关;最后，在不同热处理条件下对母相LaOBiS2进行了Ta元素的系列掺杂，获得了超导转变温度Tc随掺杂量变化的超导相图，观察到了所谓“穹顶效应”的消失。此外，说明正五价Ta5+离子的引入使得费米面附近的载流子浓度大大增强，同时超导转变温度瓦和上临界场Hc2也略高于同类掺杂体系。