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本文对退火SOI样品进行二次离子质谱深度分析和能量分析，揭示了硅和二氧化硅中离子(簇)的形成发射过程以及能量分布机理，并且在研究入射束能量与总粒子溅射产额、出射粒子初始动能关系的基础上，总结出了二次离子(簇)能量分布随入射束能量改变的演变规律。本文的研究有助于改进二次离子质谱的分析技术。
硅基衬底中二次离子（簇）形成及能量分布的研究
【摘 要】
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本文对退火SOI样品进行二次离子质谱深度分析和能量分析，揭示了硅和二氧化硅中离子(簇)的形成发射过程以及能量分布机理，并且在研究入射束能量与总粒子溅射产额、出射粒子初始
【机 构】
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复旦大学
【出 处】
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复旦大学
【发表日期】
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2004年期
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