新型π-共轭聚合物的合成及场效应晶体管性能研究

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设计合成新型的聚合物构建单元是开发综合性能优异、高迁移率聚合物半导体材料的关键所在。本论文基于新型四噻吩并蒽衍生物给体单元(TTB-2Br),设计并合成了三种聚合物半导体材料,并研究了三种聚合物半导体材料的场效应晶体管性能。此外,基于新型梯形并杂环类电子型受体构建单元(IDTO-2Br和IDTCN-2Br),设计并合成了四种聚合物半导体材料,初步研究了四种材料的结构与性能的关系。具体研究内容如下:1)运用二维π拓展策略,开发了一类长烷基支链取代四噻吩并蒽类聚合物半导体构建单元(TTB-2Br),并设
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