本文主要是针对多孔硅材料发光效率相对较低和发光不稳定这两方面的问题,即如何制备出发光强度高且发光稳定的多孔硅,进行深入的研究。本文采用电化学腐蚀法制备多孔硅,研究制备参数对多孔硅发光特性的影响,选择合适的制备参数,使多孔硅发光强度得以优化。在本实验条件下,当腐蚀液浓度V(HF)：V(C2H5OH)=1：1时,我们得到最佳的腐蚀时间为20min,最佳的腐蚀电流密度为50mA/cm2。由于刚制备好的多孔硅在自然放置过程中发光很不稳定,所以我们一般要对制备好的多孔硅进行后处理,来提高其发光稳定性。本文对多孔硅进行两种简单的后处理,即阴极还原和酸处理。实验表明：对多孔硅进行一定时间的阴极还原处理,不仅可以提高多孔硅的发光强度,而且能改善多孔硅的发光稳定性,其处理后的多孔硅表面均匀性也较好；而对多孔硅进行酸处理,可以实现多孔硅的高效发光,但处理后的多孔硅发光稳定性仍不够理想,且多孔硅表面的均匀性也不够好。两种后处理方法相比,综合多孔硅表面均匀性、发光强度和发光稳定性这三方面的考虑,本文认为阴极还原处理较好。本文根据实验数据分析,对多孔硅的光致发光机理进行了探讨。对于多孔硅的光致发光机理,本文认为量子限制效应是确实存在的；而表面态在多孔硅的光致发光中也具有重要的作用。本文还简单介绍了多孔硅的电致发光、电致发光机理及其应用。