高功率半导体激光器作为一种新型的激光光源具有较高的电光转换效率(40%左右)、可靠的工作稳定性及紧凑的体积和简单的驱动要求,在泵浦固体激光器、工业加工、医疗、信息及军事领域具有极其广泛的应用前景。近年来高功率半导体激光器在国际上得到快速发展并逐渐得到应用,但是国内在一段相当长的时间内,半导体激光器的功率始终没能得到很大的提高,体现在高功率半导体激光器存在着比较严重的发热问题,特别是腔面灾变性损伤(COD)和大电流工作下的焦耳热,限制了半导体激光器功率的进一步提高。因此本文针对高功率半导体激光器面临的主要问题出发在器件效率分析,器件工艺制作(欧姆接触、表面钝化、腔面膜、腔长的优化、封装等)与特性测试等方面进行探索,从中找到降低阈值、提高量子效率及功率转换效率、延长其寿命和可靠性的措施。主要工作从以下几点展开:1.从高功率半导体激光器面临的主要问题出发,分析原因,为解决制作工艺提供可靠依据。2.从器件理论出发,为提高半导体激光器效率及功率的改善提供原理依据。3.对半导体激光器的欧姆接触进行了实验研究,分析了提高接触电阻的影响因素,使器件的串联电阻降为0.12Ω,提高了功率转化效率,同时减少了大电流工作下的焦耳热。4.对半导体激光器腔面膜进行了优化设计。5.分析了芯片焊接技术中遇到的问题。