近年来,石墨相氮化碳材料（g-C₃N₄）由于其良好的稳定性、丰富的前驱体来源、优异的光催化性能而备受研究者关注。然而,g-C₃N₄光生电子-空穴对的复合率高、比表面积小、可见光区响应范围窄等缺点,极大地限制了其光催化效率。针对这些问题,研究表明可采取构建g-C₃N₄基异质结复合材料、形貌调控和元素掺杂等方法改善g-C₃N₄的光催化性能。首先,使用带隙匹配的其他半导体与g-C₃N₄构建异质结可以促进光生电子-空穴对的产生和分离、拓宽可见光响应范围,从而有效地增强其光催化活性。其次,通过形貌调控可增大g-C₃N₄的比表面积,为降解反应提供了更多活性位点,从而提高其光催化性能。基于此,本论文通过构建g-C₃N₄/Cu₂O与金属有机框架（MOFs）衍生的g-C₃N₄/Zn S异质结复合材料,并结合形貌调控的手段来研究其提高的光催化性能,完成的工作如下:1、本章采用原位构筑的方法,以三聚氰胺和硝酸铜为主要原料,经水热法制备2D/3D g-C₃N₄/Cu₂O异质结复合材料,并对其物理和光学性质进行研究。研究表明在可见光照射下,g-C₃N₄/Cu₂O-1:1复合材料在160分钟内对甲基橙的降解率可达97%,表明其在可见光区有较高的光催化活性,这可归因于2D g-C₃N₄和3D Cu₂O异质结的构建,有效地抑制了光生电子空穴对的复合、拓宽了可见光响应范围。2、本章以MOFs为自牺牲模板的方法,经集水热与搅拌功能于一体的JRCL-DT仪器制备g-C₃N₄/Zn S复合光催化剂。通过磁力搅拌下引入形貌可控的Zn S多面体来改善复合材料的比表面积。研究表明采用MOFs衍生的Zn S与g-C₃N₄构筑异质结增大了比表面积,为催化剂与污染物接触提供了更丰富的活性位点。在可见光照射下,g-C₃N₄/Zn S复合光催化剂的光催化活性是纯g-C₃N₄的15倍。该工作为设计新型高效光催化剂提供了新思路。