气体传感器在环境监测、疾病检测、人工智能、石油化工等领域有着广泛的应用。半导体气体传感器因具有灵敏度高、稳定性好、响应速度快等特点,一直是传感器领域的研究热点之一。气敏材料的敏感特性直接影响着气体传感器的性质,目前,除掺杂、修饰等主要方法外,制作异质结也是重要的增敏方式,因而将多种材料复合形成异质结也成为了行业的热点之一。但是,现在的研究普遍集中于纳米异质结的构建,而对大面积宏观异质结的构建及气敏性能研究较少。浸渍提拉法可以实现在任意形貌基底上的材料生长,因此适用于制备大面积结型器件。因此,本文创新性地采用浸渍提拉法,分别以旁热式陶瓷管电极及泡沫镍为基底,构建了宏观SnO₂-NiO异质结,优化了制备方法,研究了其气敏特性,探讨了敏感机理,为宏观异质结在气体传感器的应用奠定了基础,主要研究内容具体如下:首先,本论文采用浸渍提拉法在旁热式元件陶瓷管的金电极上生长了二氧化锡气敏材料,表征了其表面形貌及晶体结构,证明了浸渍提拉法可以在旁热式元件陶瓷管上实现二氧化锡的生长,并且均匀成膜。研究了单层二氧化锡的制备条件对其气敏性能的影响,结果表明所制备元件也具备一定的气敏特性,为宏观异质结结构的构建奠定了基础。在生长二氧化锡薄膜的基础上,进一步通过浸渍提拉法生长氧化镍层,构建了SnO₂-NiO异质结结构,并进行了形貌及结构的表征,表征结果证明了氧化镍层可以实现在二氧化锡层上的生长,并且以团聚块形式依附于二氧化锡膜上,形成了层状异质结构。对结型元件的气敏特性研究表明,异质结的构建使器件的气敏特性得到大幅提升,在225^oC下对10ppm甲醇的灵敏度达到15,响应时间18s,恢复时间7s。与文献对比,所制备的元件具有较好的灵敏度及响应恢复速度。最后,为了进一步通过增大结面积达到提高元件气敏性能的目的,尝试在具有高比表面积的泡沫镍上构建SnO₂-NiO异质结。采用直热法将泡沫镍表面氧化成NiO,利用浸渍提拉法在其表面均匀生长SnO₂,实现了SnO₂-NiO异质结的生长。利用SEM、TEM、XRD进行表征,证实了异质结的层状分布。通过优化反应条件,使泡沫镍基SnO₂-NiO异质结型器件的灵敏度得到大幅改善,在205^oC时,器件对10ppm甲苯的灵敏度达到19。通过与文献对比,发现本论文制得的泡沫镍基SnO₂-NiO异质结型元件具有更高的灵敏度、较快的响应恢复速度,在性能上处于领先水平。综上所述,本论文创新性地采用浸渍提拉法在不同基底上构建了SnO₂-NiO层状异质结,尝试利用大面积的宏观异质结结构提升气敏元件的敏感特性,充分利用了表层材料的氧吸附作用及里层材料的替位缺陷作用提升了元件的灵敏度及选择性。为提升敏感元件的性能及设计新型气体传感器提供了思路。