纳米材料和技术是纳米科技领域最富有活力、研究内涵十分丰富的学科分支，纳米材料在整个新材料的研究应用方面占据着核心的位置。原子团簇(cluster)是构成纳米块体、薄膜、多层膜以及纳米结构的基本单元之一，对它的基态结构、能级和电子特性的理论研究是新材料微观结构设计中的重要课题之一。 本文采用量子化学密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法对几个系列的中性硅氧团簇进行了理论探讨。文章用密度泛函理论的B3LYP方法结合基组6-311G(d)研究了(SiO2)4、(SiO2)4O、(SiO2)4O2和(SiO2)4O2H4四个系列的硅氧团簇；提出了硅氧团簇(SiO2)nO2H4从n=4的幻数团簇到n=8的幻数团簇的生长机制；对硅氧团簇(SiO2)nO2H4的两种新的构型Tcage(TerminatedbyCage)构型和Ring构型的稳定性进行了分析。