本文介绍了n型宏孔硅光电化学腐蚀机理,研究了腐蚀电流与宏孔硅孔径之间的对应关系。结果表明当临界电流密度一定时,孔径随腐蚀电流的增大而增大。分析了临界电流密度的影响因素,发现临界电流密度的大小受到温度、HF酸浓度等外界因素影响,进而影响孔径的大小。由于腐蚀电流受光照强度控制,本文提出通过调整光强进而控制宏孔孔径的自动控制方法,进行了电流自动控制系统的软硬件设计。在硬件设计中,电流控制模块采用PWM驱动BUCK电路的方式调整LED阵列光源的电流；温度模块采用IR2111驱动TEC控温。在软件设计中,应用LabVIEW软件设计平台,设计了由串口通信、数据转换、数据处理及显示模块组成的上位机电流自动调控系统。经实验验证,本套系统可以通过调节腐蚀电流制备出不同孔径的宏孔硅。