射频磁控溅射法制备ZrW<,2>O<,8>薄膜及其性能研究

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【摘要】

：

新型负热膨胀(Negative thermal expansion，简称NTE)材料ZrW_2O_8是近年来新材料领域的研究热点之一，由于该材料在0.3K～1050K很宽的温度范围内具有各向同性负热膨胀效应，因此在微电子、光学、通信、医学等领域具有广阔的应用前景。目前，ZrW_2O_8粉体和块材的制备及性能研究已趋于成熟，但对薄膜态ZrW_2O_8的研究尚处于起步阶段。本文围绕着ZrW_2O_8薄

【作者】

：

付廷波

【机构】

：

江苏大学

【发表日期】

：

2007年04期

【关键词】

：

射频磁控溅射 ZrW2O8薄膜热膨胀系数介电常数透光率

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