未来移动通信终端应该体积更小、重量更轻、功耗更低和价格更便宜。这种发展趋势要求IC技术能将数字、基频、中频及射频电路整合于同一芯片上。硅基CMOS是实现这种系统一体化方案的唯一技术选择。但硅基RF IC面临着片上无源器件损耗很大这一障碍。如何克服这一障碍是当前研究的热点,而精确分析各种硅基片上无源器件的电磁特性则是消除障碍的必要条件之一。微米尺度的RF IC无源器件具有一系列新的电磁特征,导致传统的电路理论并不可行,而三维全波场分析法也遇上了困难。部分元等效电路(PEEC)法是一种针对三维导体系的高性能全波电磁仿真方法;而将电介质所在空间等效为含极化电荷和极化电流的自由空间,从而导出表征极化效应的附加电容,也可建立全波部分元等效电路。但现有的PEEC模型不包含磁性媒质而并不完备,故很有必要建立全媒质体系的PEEC模型;而尝试在RF IC中引入磁性材料来优化片上器件性能恰恰是一种颇具前景的解决RF-SoC难题的方案,所以也亟需开发RF IC片上磁结构的精确高效仿真技术。本文发展了PEEC法,建模得到涵盖导电性、电性及磁性媒质的全媒质体系PEEC模型,它可以定量分析磁化效应和极化效应。首先从麦克斯韦方程组的普适形式出发,严格导出将简单媒质空间等效为含束缚源的自由空间后麦克斯韦方程组的等效形式,在数学模型中分离出磁化电流、极化电荷和极化电流等客观存在的束缚源。进而严格判定均匀简单媒质中所有电磁源的分布区域及存在形式;此时求解相应的达朗贝尔方程所需的格林函数及滞后时间都是自由空间的量。在电路模型中赋予导电性、电性和磁性媒质同等的源空间地位,进而在源区剖分出部分元网格即可建立全媒质体系的PEEC模型,导出了媒质内部体电流元的全媒质电路模型和磁边界磁化面电流元的等效电路模型,得到了磁化附加电容、磁化附加电阻及磁边界流控传导面电流系数等表征磁化效应的全新电路元件。最后对此模型进行工程简化解决了RF IC片上螺旋电感的如下仿真问题:趋肤效应和临近效应、有耗硅衬底效应以及磁介质增强效应。