现代社会是信息化的社会，信息化社会离不开对信息的存储，所以存储器在我们的生活中的应用越来越广泛。在SoC芯片中，存储器所占据的比重在逐渐增加。据估计，到2016年，SoC芯片总面积的95％以上将被嵌入式存储器所占据。在众多种类的存储器中，Flash作为一种非易失性存储器，以其掉电后仍能保持数据的特点倍受青睐。Flash存储器容量的不断增加，集成度的不断提高，导致其缺陷越来越多，对其的测量也就越来越困难。此外，机台测试的费用由于SoC芯片管脚和速度的增加，变得越来越高昂。所以本文针对以上问题对SoC嵌入式Flash内建自测试方法进行了研究。本论文首先介绍了Flash存储器的基本结构和工作原理，结合其结构和工作原理对存储器的固有故障和Flash的特有故障进行了分析和研究。固有故障包括：固定故障、转换故障和桥接故障等，特有故障包括：直流写(DC-Programming)、直流擦(DC-Erasure)和漏极干扰(DrainDisturbance)等。通过对这些故障产生机理的研究，有助于更好的对Flash进行测试。其次，本论文对存储器的测试方法进行了深入的研究。主要分析了几种常见的存储器测试算法：MSCAN算法、Gallop算法、Checkboard算法和March及其衍生算法的复杂度和故障覆盖率。由于Flash存储器的特殊结构及访问机制，本文将Checkboard做了相应的改进以便将其应用到Flash存储器的测试中。最终本文确定以改进的Checkboard算法和March-FT算法作为Flash存储器的测试算法，并加以实现。最后，本文对并行接口测试、半并行接口测试和串行接口测试三种测试方案进行了研究，最终选定串行接口测试方案作为本文的测试方案，该方案能够有效的降低机台测试的成本。结合之前研究的算法，本文设计并实现了Flash存储器的内建自测试电路。电路通过Modelsim进行了仿真和验证，确认了电路架构和功能的正确性。