二维材料石墨烯、低维化合物材料硒化铟等光电性能良好的半导体材料,可以与硅衬底结合制备高响应度高探测率等高性能的光电探测器。由于石墨烯与硅接触时易被调控,本论文主要研究了将氟化石墨烯、掺硼硅量子点等材料与石墨烯/硅光电探测器结合,对石墨烯进行调控,提升器件的响应特性。该系列工作具有以下主要成果:1.制备了石墨烯与氟化石墨烯之间多种垂直堆叠结构的器件,研究了氟化石墨烯在石墨烯上下表面两种情况对石墨烯/硅光电探测器的性能提升作用。2.制备了含掺硼硅量子点的石墨烯硅基光电探测器,充分利用掺硼硅量子对近红外光有吸收的特性,在未掺杂硅量子点与石墨烯硅基光电探测器结合的基础上,扩展了器件在近红外波段的响应(1100nm-1870nm),并首次研究了量子点置于石墨烯与硅之间的垂直异质结器件,这种新型结构既是无机量子点发光二极管的雏形,又有助于研究石墨烯与硅接触的界面态变化问题。3.合成了稳定存在的花状单相γ-In2Se3化合物材料,并首次将γ-In2Se3材料与n型硅衬底结合制备了γ-In2Se3/Si光电探测器,该器件具有较高的光电响应和探测度,且易于制备、性能稳定,故在光电传感、光学开关等应用领域均有研究价值。