有机半导体分子薄膜的研究日益广泛，研究薄膜界面和表面的电子结构有助于深入理解其性质，对薄膜生长具有重要指导意义。光电子能谱是研究界面电子结构使用最广泛的技术，但是不能对非占据态准确测量，而反光电子谱（InversePhotoemission Spectroscopy, IPES）作为光电子谱的补充，可以准确探测费米能级以上的非占据态，两者结合可获得完整的电子结构。目前，反光电子谱测试中存在能量分辨差、探测效率低的缺陷，而电子源作为反光电子谱仪系统的一部分，提高电子源的能量单色化(减小能量展宽)同时增强电流强度可以弥补这一缺陷，本文旨在设计适用于IPES系统的高能量单色化和高电流强度的电子源。本论文首先介绍了反光电子谱的工作原理，即由电子源发射电子，入射到材料表面激发出光子，然后光子探测器对光子进行探测。由于证明了反光电子发射的有效截面远低于光电子发射，选择了设计简单且可获得更高计数率的单色工作模式。该电子源由电子枪、半球能量单色器和转换静电透镜组成，分别对通能（passenergy, P.E.）为10eV和5eV两种情况进行分析，且所有设计均采用了SIMION软件模拟。电子枪的设计包括阴极和静电透镜两部分，本设计选择BaO阴极，其工作温度约为1100K，本征能量展宽约为232.5meV；静电透镜由四个电极组成，根据测量结果，可以得到约128μA的电流强度。半球能量单色器的入射口和出射口采用了长方形结构，在不影响能量分辨的前提下，提高了电流强度；针对该单色器的边缘效应，本文提出了双电极校正，相对于传统校正方法，具有设计简单，调试方便等优势。转换静电透镜采用标准的五圆筒电极真变焦透镜，在电子聚焦点和电子束像放大倍数保持不变的情况下，实现了电子动能5～20eV连续变化。最后对于整个电子源，可以得到：当P.E.=10eV时，能量分辨为98meV，电流强度为49μA；当P.E.=5eV时，能量分辨为53meV，电流强度为27μA。