脉冲电晕放电等离子体OH自由基发射光谱研究

来源 :大连理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhqs1
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文利用发射光谱技术研究了在正脉冲、双向窄脉冲两种放电情况下各种物理参数对线-板式电晕放电产生的OH自由基的影响。 一、OH(A2∑→X2∏0-0)自由基的发射光谱。利用发射光谱技术在大气压下测量了在氮气、水蒸气混合气体中线-板式正脉冲、双向窄脉冲电晕放电产生的OH(A2∑→X2∏0-0)自由基的发射光谱及在潮湿空气中正脉冲电晕放电OH自由基的发射光谱。 二、OH自由基相对布居的计算。由N2(C3∏u→B3∏g)的△v=-3和△v=-4振动带序的发射光谱强度计算得出N2(C,v)的相对振动布居及其振动温度,进而采用高斯分布拟合准确地求出了N2(C3∏u→B3∏g)的△v=+1(1-0,2-1,3-2,4-3)振动带序的发射光谱强度,由N2(C3∏u→B3∏g)的△v=+1振动带序与OH(A2∑→X2∏0-0)相互重叠的发射光谱中减去N2(C3∏u→B3∏g)的△v=+1振动带序的发射光谱强度,从而可准确求出OH(A2∑→X2∏0-0)自由基的发射光谱强度。由OH(A2∑→X2∏0-0)的发射光谱强度可得到激发态OH(A2∑)自由基的相对布居。 三、放电电压、频率及添加氧气对OH自由基的影响。在氮气、水蒸气混合气体中分别研究了正脉冲、双向窄脉冲放电峰值电压、放电频率及添加氧气对激发态OH自由基的发射强度和相对布居的影响。并在潮湿空气中测量了正脉冲电晕放电的放电电压及放电频率对激发态OH自由基相对布居的影响。而且分析了放电过程中产生的活性粒子的重要的物理化学反应过程。 实验结果表明:OH自由基发射强度随着放电电压及放电频率的增加而增强,随着添加O2流量的增加而减弱;相对布居随着放电电压及放电频率的增加呈线性增加趋势,随着添加O2流量的增加呈e指数递减趋势。
其他文献
光子扫描隧道显微镜(PSTM)是扫描隧道显微镜的一种,利用样品表面的隐失波携带高频信息,通过探测近场区域的隐失波成像,突破了衍射极限的限制,获得了纳米尺度的超分辨率图像。本文
脉冲激光沉积技术(Pulsed Laser Deposition 简称PLD)是20世纪80年代后期发展起来的一种新型薄膜制备技术。PLD在制备以YBa2Cu3O7-d为代表的多元氧化物高温超导体的薄膜材料方
本论文研究了富锂层状正极材料Li[Li0.2Ni0.17Co0.07Mn0.56]O2的合成及氟化物包覆改性,并系统探索了其改性机理。通过溶胶-凝胶法合成了Li[Li0.2Ni0.17Co0.07Mn0.56]O2,并在制备过程中通过改变锂源过量这一条件制备出了一系列样品。利用XRD、SEM、恒流充放电等测试方法对制备的样品做物理性质和电化学性能的表征。测试结果表明,样品都出现了其空间群R m六方
本论文研究了新型MgB2超导体及其掺杂系列多晶块材样品的超导电性、结构、微结构性质。我们首先通过低温X射线衍射(XRD)和拉曼光谱测试考察了未掺杂的MgB2超导体低温下的结构
本文研究了初始r-过程增丰机制形成s+r星的特点。在这种机制中,s+r星与r-星都被认为形成于被Ⅱ型超新星污染的富含r-过程物质的云中。考虑到初始r-过程元素的增丰,提出了s+r星
近年来,随着强光光学的迅速发展,超短强激光已经广泛应用于许多研究领域。由于当超短强激光在介质中传输时,特别是当等离子体产生的时候,会出现一些类似于传统非线性光学但又源于
钡铁氧体因其良好的化学稳定性、抗腐蚀性、高各向异性和高矫顽力,近年来吸引了很多的关注,这一铁磁材料已经被广泛应用于磁性、磁光器件的制造。 首先,改变不同的Fe/Ba摩尔
相比于体积大、工作电压高的光电倍增管类真空紫外探测器和受滤光片及光阴极量子效率限制的紫外增强型硅光电二极管类固体紫外探测器,宽禁带半导体紫外光检测器具有体积小、
环境污染和能源危机依然是阻碍人类可持续发展的两座大山。由于半导体光催化在环境污染物的降解和新能源的产生方面有着潜在的应用,半导体光催化技术已经吸引了越来越多的专家注意。光催化剂通常可以回收循环再利用,而且对环境和人类没有危害。自1972年本多和藤岛发现了“本多—藤岛效应”以来,许多金属氧化物,例如Ti O2,Zr O2,Zn O,Ni O,Fe2O3,WO3和In2O3等,作为半导体光催化材料用于
本文介绍了一种设计简单,容易起辉,易于维持,运行稳定,重复性高,适于集成的新型毫米量级大气压冷等离子体射流发生技术.这种射流可以在大气压条件下,利用几种工作气体(如Ar,H