【摘 要】
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TP4D材料是一种超低功耗、高饱和磁通密度的最新代功率铁氧体材料。为研制该材料,由浙江天通电子股份有限公司(TDG)与上海大学理学院组成的课题组进行了大量的配方实验和材料
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TP4D材料是一种超低功耗、高饱和磁通密度的最新代功率铁氧体材料。为研制该材料,由浙江天通电子股份有限公司(TDG)与上海大学理学院组成的课题组进行了大量的配方实验和材料制造工艺实验。在此基础上总结提出了复合离子二次掺杂技术和高密度二次保温烧结技术。所谓“复合离子”即采用高价(4价,如SnO2)和低价(2价,如CaCO3)两种离子同时掺杂。本课题组经过大量实验发现,由CaCO3-Nb2O5-Ta2O5组成的复合离子效果最好,在100kHz,200mT的使用条件下,功率损耗可低至250mw/cm3(100℃),比传统的CaO-SiO2掺杂在相同测试条件下的实验结果340mw/cm3还要低。“二次掺杂技术”即在二次球磨时再加入适量复合微量元素。“二次保温烧结技术”是指在传统烧结曲线的降温过程中,设计一个升温、保温、继续降温过程,采用该技术有利于在一定的温度点使氧化还原反应充分完成。实验结果表明,新技术对降低材料的功率损耗十分有效。
本文第一章为序论,介绍课题情况,第二章主要介绍了MnZn铁氧体的基础知识,第三章阐述了铁氧体的制备第四章是关于MnZn功率铁氧体的详细介绍,重点探讨了Ta2O5-Nb2O5-CaCO3复合掺杂对铁氧体磁性能的影响。这是论文工作的重点。气氛与显微结构一节中重点研究了制备工艺中二次保温烧结技术,这也是论文工作的一部分。第五章是对于本课题的小结及其未来应用的展望。
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