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ZnO是一种具有纤锌矿结构的宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.3eV，激子束缚能为60meV，这比同是宽禁带材料的ZnSe（20mev）和GaN（21meV）都高出许多，而且比GaN，SiC和其它Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体薄膜的制备温度低。这些特点使ZnO具备了作为室温短波长发光材料的特征，研究其微观结构特征和发光特性具有重要意义。本文采用脉冲激光沉积（PLD）的方法制备得到高度c轴取向的ZnO薄膜，分别研究氧缺陷、AlN缓冲层及Mg掺杂对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响，获得的主要结果如下： 1．采用PLD方法，室温下在O2气氛中作用金属Zn靶制备高度c轴取向的ZnO薄膜，通过变化沉积过程中的氧压来控制薄膜中的氧空位缺陷，研究ZnO薄膜中氧缺陷引起的晶格常数与光能隙变化间的规律。结果表明，室温条件下沉积的ZnO薄膜具有高度c轴取向。同时发现，随着沉积过程中氧压的增加，c轴晶格常数逐渐减小，并且吸收边和本征发射峰位蓝移，吸收边与本征发射峰位间存在10～20meV的能量位移。 2．通过PLD方法在Si（100）上生长了高度c轴取向的AlN薄膜，并以此为衬底，成功地实现了ZnO薄膜的准外延生长。比较研究了AlN作为过渡层对ZnO薄膜结构和光学性能的影响。结果表明，AlN作为过渡层可得到具有很强的c轴择优取向生长的ZnO薄膜，其（002）晶面衍射峰半高宽为0.216°，显示出非常好的结晶状况。通过原子力显微镜（AFM）观察进一步证明了ZnO／AlN薄膜的准外延生长特征。薄膜的光致发光谱表明，在UV发光波段，以AlN作过渡层的ZnO薄膜荧光强度要比直接在Si上制备的ZnO薄膜高将近一个数量级。 3．研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜的能带宽度的影响，在400℃下10PaO2气氛中制备MgxZn1-xO薄膜，Mg含量在0到30mol％之间变化。通过X射线衍射（XPD）、紫外-可见分光光度计表征了含Mg的ZnO薄膜的结构和光学性能。结果表明，MMgxZn1-xO在紫光波段有很好的透光性能，薄膜为单相六角纤锌矿结构，且具有高度c轴取向。随着Mg含量的增加，所得MgxZn1-xO薄膜的c轴晶格常数减小，带隙宽度由3.23eV（x=0）线性增大到3.77eV（x=30mol％）。