重分布封装(RCP)技术是近期出现的一种应用于芯片封装的创新型技术。与传统的封装技术相比,其以重分布层代替芯片基板所带来的封装小型化、微型化的特征对多芯片系统的发展趋势具有显著的推进作用,目前该项封装技术已经引起了全世界范围内的研究学者的关注。然而,芯片封装密度的提高,所带来的散热问题以及由此引发的封装可靠性问题成为该封装技术发展的瓶颈之一。数值分析法是工程计算领域常用的分析方法。在各种数值分析法中,有限元分析(FEM)法能够最有效、准确的解决本研究所涉及的多物理场耦合的问题,因此,本文采用了有限元法进行相关的模拟与仿真。相对于传统封装热分析中依靠设定换热系数来模拟对流散热的情况,本文首先利用功率载荷法,以硅片的热耗散功率为载荷,通过在模型中设置风道,在进风口直接施加相应的流动条件,以此来模拟强制对流对芯片封装体的温度场影响情况。在自然对流的情况下,计算了本文中所建的RCP封装模型的温度场分布,铅锡系焊球和无铅焊球对封装体峰值温度的影响;在0~4m/s的风速条件下,计算了芯片封装体峰值温度的变化、封装系统热阻的变化,并得出了相关的关系曲线,以及在不同热耗散功率下,满足芯片适宜工作温度时需要施加的具体流动条件。以应用功率载荷法分析固流耦合场时的计算数据为依据,采用温度载荷的分析方法,以具体的温度值为载荷,综合表征各种强制对流条件,模拟RCP芯片在不同流动条件下的热应力分布情况。根据本文的计算结果,RCP芯片模型最大应力值的数量级为108Pa。在自然对流和4m/s的风速条件下,封装体上的最大应力值分别为564MPa和192MPa。增加的流动条件对芯片的热应力分布情况具有一定的改善作用。