在学术和工业领域中，量子点发光二极管（quantum light-emitting diodes，QLEDs）被认为是最有发展潜力的显示器件，由于 QLEDs可以通过调节荧光量子点的尺寸而改变电致发光峰，并且较有机发光二极管（organic light-emitting diodes，OLEDs），QLEDs拥有较低的制作成本，更广的色域和更纯的色度，因此作为下一代固态光源具有很大的应用前景。但是传统的QLEDs器件采用有机物PEDOT:PSS作为空穴注入层（HIL），当器件处于空气中时，极易吸收空气中的水氧，导致 QLEDs器件的性能降低，影响其应用。而氧化镍（NiO）作为金属氧化物、能级深、在空气中稳定性高，并且NiO薄膜透光率高，空穴迁移率大。　　本研究主要内容包括：⑴荧光量子点的优劣直接影响着 QLEDs器件的性能，因此我们通过热注入法合成了CdSe@ZnS合金量子点；随后对合成的量子点进行了透射电镜（TEM）的表征，发现量子点分散性良好、尺寸均一、平均粒径为3.1 nm；接着对CdSe@ZnS量子点进行了荧光的表征，发现量子点的量子产率为83.58％、荧光峰为523 nm、半峰宽为25 nm；并且当成核时间为10 min时，量子点的荧光峰可以从516 nm红移到531 nm；接着对量子点进行了紫外光电子能谱（UPS），结果表明量子点的价带为5.47 eV，因此有助于空穴进入到发光层，因此当CdSe@ZnS量子点作为QLEDs的发光层能时，能有效的提高器件的性能。⑵制备了高质量的NiO纳米晶，并且发现随着硬脂酸锂(LiSt)的量的增加，NiO纳米晶的平均粒径在减小，当LiSt的量从0 mmol-0.4 mmol内调节时，NiO纳米晶的平均粒径从5.7 nm-2.4 nm内改变；随后对NiO粉末进行X射线粉末衍射（XRD）的表征，发现NiO有五个衍射峰，而X射线光电子能谱（XPS）的表征发现O1s谱和Ni2p3/2谱和NiO标准谱基本吻合，同时对NiO纳米晶进行了UPS的表征，发现NiO的价带顶为5.85 eV，而且NiO薄膜透光率在524 nm时达到91.17%，在150℃退火时，空穴迁移率为30.56 cm2/Vs，这些表征结果都说明NiO纳米晶适合作为空穴注入材料。⑶构筑了CdSe@ZnS量子点作为发光层的绿光QLEDs器件，相比于红蓝器件，绿光器件的电致发光谱（EL）较光致发光谱（PL）红移的最小；通过优化条件，获得绿光QLEDs器件的最大亮度为54760 cd/m2；随后将器件的HIL替换成NiO纳米晶，最终构筑最大亮度为59188 cd/m2、寿命为58356 s的绿光QLEDs，较PEDOT:PSS为HIL的器件，其亮度增加了10%，寿命增加了8倍；因此NiO纳米晶作为QLEDs器件的HIL，能有效的提高QLEDs器件在空气中的稳定性，更有利于提升QLEDs器件的应用前景。