本论文主要利用光泵浦太赫兹探测(optical-pump terahertz-probe,即OPTP)技术对n型硅(n-Si)、p型硅(p-Si)及半绝缘GaAs这几个常规半导体材料进行了超快载流子动力学的研究,同时也通过太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术对n-Si、p-Si样品进行了在太赫兹范围内的光谱分析,获得了样品在太赫兹波段的一些光学参数。计算了在0.5～2.0THz频率范围内n-Si和p-Si的折射率、相对介电常数、电导率及介电损耗的情况,证实了两个样品在太赫兹波段都具有良好的介电特性。在对n-Si、p-Si及半绝缘GaAs进行光泵浦太赫兹探测的实验中,我们发现对于同一样品进行不同光泵浦能量的激励,泵浦能量越高,样品表面光电导率越大,THz信号的透过率也越低。在对半绝缘GaAs样品进行光泵浦探测的同时,还在其表面加上偏置电场来观察其载流子运动状况。结果显示由于在电场作用下光激励状态下,GaAs会发生能谷间散射,从而使THz信号在光泵浦状态下因受到外加电场的调制而增大。最后,对于计算得到的样品的光电导率,我们采用了Drude-Smith模型对其进行拟合,并得到其光生载流子浓度、载流子迁移率、碰撞时间等一系列数据。