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高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料（SiCp/Al）具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。研究铝碳化硅电子封装材料的结构与性能对制备性能优良的封装材料具有重要的理论意义和实用价值。本文研究了Si含量对复合材料组织与性能的影响和低Si含量复合材料界面稳定性，探讨了液态铝合金无压熔渗SiC预制件工艺制备的复合材料组织和性能特点。主要研究结果如下：高体积分数SiCp/Al复合材料和渗后残留铝合金凝固后的Si相分布相同，但在Si形态上存在差异。当Si含量为7%时，铝合金中Si相以细小颗粒及圆润短杆为主，偏聚分布，而复合材料中，Si相也是偏聚分布但Si的形态更细小。当Si含量为12%时，铝合金中Si相呈粗大的片状或长针状，而复合材料中Si相形态多为弯钩形状和短条状，多数Si相沿SiC颗粒边界析出。当Si含量为14%时，铝合金中Si相呈粗大枝状和小块状，复合材料中Si相多数为短小颗粒和短条状，弥散分布在Al和SiC之间。由于复合材料中Si含量和形态不同相应地导致其抗弯强度存在差异，含量为7%时最高，14%时其次，12%时最低。当铝基体中Si含量为7%的复合材料，其熔渗温度高于800℃熔渗时，界面不稳定出现粉化，在735℃～800℃之间时，无Al4C3相产生也不粉化；其抗弯强度随熔渗温度735℃升至850℃而逐渐提高，不因Al4C3相的形成而降低。利用液态铝合金自下而上无压熔渗以粒度为F240和F600配比的SiC预制件制备获得显微组织结构均匀的SiC体积分数为65%的SiCp/AlSi7Mg8复合材料，其抗弯强度在308～384MPa之间，热导率在160～170W/m·k之间，在25℃～100℃范围内的平均热膨胀系数为5.57×10-6K-1，满足电子封装要求。