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脑缺血的发病率、致死率及致残率居所有疾病之首，虽然目前溶栓治疗可以使许多患者早期血管再通，但是由于针对随之而来的缺血再灌注损伤的干预却没有很好的方法，导致脑缺血临床治疗效果不佳，所以进行脑缺血再灌注损伤的机制研究很重要。SENP1参与底物蛋白的去SUMO修饰，虽然之前研究结果表明SUMO蛋白参与了脑缺血再灌注损伤，但是有关去SUMO化修饰酶在脑缺血再灌注损伤中的作用却没有涉及。本研究探讨了SENP1在脑缺血再灌注中的作用及机制，为临床脑缺血的治疗提供理论依据。 本研究综合利用免疫组织化学、生物化学、行为学、电生理记录等实验技术，研究WT小鼠短暂性脑缺血再灌注6、12及24小时后SENP1表达，发现SENP1表达升高并且不是通过转录水平；应用SENP1flox/flox小鼠和CamKIIα-cre小鼠交配生产的海马及前脑皮层特异性神经元SENP1敲除（SENP1 cKO）小鼠给予短暂性脑缺血再灌注处理后，皮层区域梗死及神经功能损伤程度较WT增加；TUNEL染色及激活型caspase-3检测结果表明，脑缺血再灌注24小时后SENP1 cKO小鼠皮层缺血区域神经细胞凋亡较野生性(WT)明显增多，动力相关蛋白1（Drp1）在SENP1缺乏的情况下SUMO1修饰水平较WT明显升高，蛋白稳定性增加，促进线粒体形态改变导致线粒体途径凋亡增加，可能是SENP1缺乏加重脑缺血再灌注损伤的机制。 综上所述，研究发现SENP1在脑缺血再灌注损伤中发挥神经保护作用，主要作用是减少神经细胞凋亡，而且这种保护机制可能与调节Drp1的SUMO1修饰水平有关，所以本研究结果可能会为临床脑缺血损伤的治疗研究提供了理论基础。