纳米含源量子电路中电荷和电流的量子涨落特性研究

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随着微电子技术、纳米技术和纳米电子学的发展,电路和电子器件日趋小型化。当电路系统的传输尺度达到电子输运的相位相干长度时,电路系统本身的量子效应就会出现,如库仑阻塞效应、电导涨落、电流的量子涨落等。其中纳米电路中电流的量子涨落已成为量子光学领域的一个热点问题。本文基于电荷是量子化的基本事实,研究了如何利用全量子理论来处理纳米含源电路中电流的量子涨落问题。即首先从纳米电路的经典运动方程出发,根据正则量子化方法,得出纳米电路系统的薛定谔方程,并将其化为标准的马丢方程,最后计算系统的能谱和电流的量子涨落。根据电路是否有耗散,可将其分为有耗散电路和非耗散电路,对于有耗散电路,本文讨论了双网孔纳米含源耗散耦合电路和双网孔纳米含源耗散无耦合电路,分别计算了各电路系统所对应的能谱和各电路系统中电流的量子涨落;对于非耗散电路,本文利用二次型理论,并结合电荷是离散化的全量子理论,总结出了求解任意网孔纳米含源非耗散耦合电路中电流的量子涨落的一般性方法。
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