自从光子晶体的概念被提出以来,光子在周期性介电结构中的传播行为受到了研究人员的广泛关注。在许多实际应用中,可通过带有不同缺陷结构的光子晶体来操纵光子的特殊输运行为。然而,目前人们在设计、制备不同功能的高品质缺陷态光子晶体,以满足特定的缺陷模和传输特性需求仍然面临着诸多难题,譬如对缺陷态的引入,以及在可见-近红外波段对缺陷态光子带隙位置的精确调控等。本学位论文,首先介绍了光子晶体以及缺陷态光子晶体的基本概念、基本特性、制备方法等;接着针对上述面临的问题,提出尝试利用简便可控的电化学阳极氧化工艺可控制备多孔氧化铝缺陷态光子晶体,并通过引入合理的缺陷态氧化工艺参数以及补偿电压机制等措施来提高样品的品质;然后在此基础上系统总结了作者在攻读硕士学位期间以“多孔氧化铝缺陷态光子晶体的制备及其光致发光增强研究”为题所开展的研究工作,主要内容可分为以下两个方面:(1)用简便可控的电化学阳极氧化工艺成功地制备出高品质的多孔氧化铝缺陷态光子晶体(DPCs),并通过优化设计周期性脉冲阳极氧化电压波形参数以及有效的电压补偿策略,使制得的缺陷态光子晶体的带隙及缺陷模的品质得到进一步提高。测试结果表明,通过对关键工艺参数的调节,可实现在可见-近红外波段内对缺陷态光子晶体的带隙及缺陷模的位置的精确调控。(2)尝试将罗丹明B(rh B)引入多孔氧化铝缺陷态光子晶体的孔壁中,形成rh B/DPCs复合结构,并系统研究了该结构的光致发光特性。测试结果表明,当缺陷态光子带隙的蓝边和缺陷模位置分别与罗丹明B的发射峰相重合时,rh B的光致发光强度得到了显著的增强,从而实验证实了,缺陷态光子晶体带隙及缺陷模对发光材料的光致发光影响是受其带边及缺陷模处光子态密度的剧烈变化调控的,相比于带隙的蓝边,缺陷峰对rh B的光致发光增强作用更加明显,达到了3.1倍。本文对光致发光增强的机制也进行了详细讨论。