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一维N掺杂β-Ga<,2>O<,3>纳米线的制备及特性研究

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【摘要】

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采用化学气相沉积(CVD)法,以高纯NH3为N源,在(111)Si衬底上制备了N掺杂的β-Ga2O3纳米线。用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和能谱分析(EDAX)对样品的晶体结构,形貌、成份等进行分析。结果表明：通过控制改变催化剂、生长温度、NH3流量和生长时间四项实验参数,可制备出不同形貌的N掺杂β-Ga2O3纳米线,每一组实验参数都有一个最佳数值有利于形成最佳质

【作者】

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【机构】

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辽宁师范大学

【发表日期】

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2010年05期

【关键词】

：

β-Ga2O3纳米线半导体 N掺杂化学气相沉积

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采用化学气相沉积(CVD)法,以高纯NH3为N源,在(111)Si衬底上制备了N掺杂的β-Ga2O3纳米线。用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和能谱分析(EDAX)对样品的晶体结构,形貌、成份等进行分析。结果表明：通过控制改变催化剂、生长温度、NH3流量和生长时间四项实验参数,可制备出不同形貌的N掺杂β-Ga2O3纳米线,每一组实验参数都有一个最佳数值有利于形成最佳质量的N掺杂β-Ga2O3纳米线。最后总结得到制备N掺杂β-Ga2O3纳米线的最佳生长条件是：使用的Si衬

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