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共轭聚合物由于具有良好的发光特性与导电特性并且是很有潜力的激光增益介质,近年来受到研究者们的广泛关注。通过大量研究,人们已经在光泵浦的聚合物受激辐射方面取得了很大的进展,进而将更多的精力转向聚合物半导体电泵浦受激辐射的研究上,探索实现电泵浦下聚合物受激发射的可能,但是目前存在聚合物增益介质的阈值相对较高,载流子迁移率低,损耗严重等诸多问题。本文针对这些问题,以F8BT和P3HT的共混聚合物为发光材料,制备了单层不对称平面光波导和电致发光器件,分别从降低聚合物增益材料阈值光强和增大材料的电荷注入与传输两个方面进行了研究：1.研究了F8BT:P3HT共混聚合物的放大自发辐射(Amplified Spontaneous Emission, ASE)特性,以及其光致发光特性和ASE特性的温度效应。在常温下测试了不同P3HT比例的共混聚合物薄膜的ASE特性,发现当P3HT的质量比小于20%时,共混聚合物薄膜的ASE阈值光强随着P3HT比例增加而下降,并在P3HT比例约为15%到20%时阈值最低。通过测量不同温度下共混聚合物薄膜的光致发光特性并拟合PL光强与温度的关系,计算出F8BT与P3HT含量为20%的共混薄膜的温度猝灭激活呢能。发现F8BT中混入P3HT能减小其发光受温度猝灭的影响。此外,研究了F8BT薄膜和P3HT含量为20%的共混薄膜受激辐射特性在80 K到320K之间的温度效应,温度降低导致F8BT:P3HT共混薄膜ASE阈值光强显著降低。2.利用飞行时间法测量了含有不同P3HT比例的F8BT:P3HT共混物的载流子迁移率,发现随着P3HT含量的增加,空穴和电子的迁移率均增加,但空穴增幅更大。制备了以活泼金属为阴极的F8BT:P3HT电致发光器件,测量了不同P3HT比例的器件的电流以及发光特性,发现随着P3HT含量增加,器件的电荷注入电压降低。此外,利用脉冲电压驱动的方式测量了F8BT:P3HT共混聚合物电致发光器件的瞬态发光特性,发现掺入P3HT有利于载流子平衡输运。在相同外加电压下,随着掺入P3HT含量的增加,器件的发光曲线上升沿的上升与下降沿的下降均加快。