【摘 要】
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随着航空、航天飞行器的快速发展,未来飞行器在重量、体积、可靠性、耐温性和动态响应性等方面要求将更加严格。采用具备小型化、轻质化、一体化和智能化技术特点的新型功率机电作动技术成为满足新型飞行器发展的关键。近年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为第三代宽禁带功率半导体材料的代表,具有击穿电压高、热导率高和载流子饱和率高的特点。采用SiC功率器件设计的电机驱动系统与传统的硅(Sili
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随着航空、航天飞行器的快速发展,未来飞行器在重量、体积、可靠性、耐温性和动态响应性等方面要求将更加严格。采用具备小型化、轻质化、一体化和智能化技术特点的新型功率机电作动技术成为满足新型飞行器发展的关键。近年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为第三代宽禁带功率半导体材料的代表,具有击穿电压高、热导率高和载流子饱和率高的特点。采用SiC功率器件设计的电机驱动系统与传统的硅(Silicon,Si)型电机驱动系统相比,具有更高的系统效率、更高的功率密度、更高的耐温特性和更快的动态响应。因此本课题提出了利用SiC MOSFET功率器件构建机电作动器中电机驱动系统的方案。首先,在深入了解SiC MOSFET的器件特性后,本文研究了桥式电路中桥臂串扰产生的机理,并建立串扰等效电路模型,分析了影响串扰电压的因素。然后,本文基于桥臂串扰的产生机理,比较了不同几款桥臂串扰抑制电路,并在有源抑制电路思想的基础上不断改进,最终设计了一款新型自主式串扰抑制电路。同时,使用LTspice软件对主要几款串扰抑制电路进行电路仿真和验证比较,证明了本文所提出的新型自主式串扰抑制电路具有更大优势。为了满足电机驱动系统的智能化和驱动高频化等要求,本课题采用双核DSP芯片作为主控制芯片。在实验的软件调试过程中,充分发挥双核协同控制的优势,重新分配控制程序,并加入了新型自主式串扰抑制电路的控制程序等功能。最后,本文完成了三轮5kW电机驱动系统样机的研制,对不同串扰抑制电路进行实验对比,验证了新型自主式串扰抑制电路的优点。将采用此抑制方案的SiC MOSFET电机驱动系统和相同等级的Si IGBT电机驱动系统进行对比,得到母线电流在不同开关频率下的变化趋势,证明了随着开关频率的升高,系统的效率越高。此外,该实验也证明了SiC MOSFET电机驱动系统具有更高的效率。
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