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硅材料的禁带宽度较窄,为间接带隙半导体,发光效率很低。当硅材料的尺寸减小至纳米尺寸时,由于量子尺寸效应,硅的禁带宽度变大,由间接带隙变为直接带隙,发光效率大幅度增加,可在光电领域得到广泛的应用。目前硅纳米材料的制备方法多种多样,如何采用简单的、可工业化生产的方法制备硅纳米材料是目前存在的一个问题。本文分别对硅纳米线阵列的制备及多孔硅纳米线阵列在光催化方面的应用展开系统深入的研究。1.采用一步化学刻蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜对制备的样品进行表征,分析了硝酸银浓度、氢氟酸浓度、温度以及