本文的研究内容分为四个部分：第一部分：胶体化学法合成CdSe/CdS核壳结构的量子点；第二部分：这种胶体量子点的微观结构研究；第三部分：该量子点的发光动力学性质研究；第四部分：该量子点的电致发光研究。 首先，采用胶体法合成了CdSe/CdS核壳结构的量子点，CdS壳层从单分子层到四个分子层。TEM图像表明合成的量子点具有均一的颗粒分布，良好的单分散性以及稳定的光学性质，这有利于探讨发光性质与其微观结构的关系。XRD谱表明相比于CdSe纳米晶体的衍射峰位，核壳结构CdSe/CdS纳米晶体的衍射峰位几乎没有什么变化，只是随着包层厚度的增加，稍向高角度移动，这就证实了核壳结构的实现。同时，随着包层厚度的增加，CdS壳施加于CdSe核的应力慢慢变大，Raman谱也说明了这一点。 然后，测量了室温下CdSe/CdS核壳结构量子点的吸收谱、发光谱以及光致发光寿命。光谱测量结果表明，随着包层厚度的增加，吸收峰和发光峰都发生了红移，同时光致发光量子产率慢慢增大，光致发光寿命则减少。此外，还测量了变温发光特性。随着温度的升高，发光峰发生红移、发光强度降低、光致发光寿命先增大后减小。 最后，尝试用所合成的CdSe/CdS核壳量子点进行电致发光研究，制作了以PVK：QDs混合薄膜为活性层的单层电致发光器件。然后对该器件进行了稳态电致发光的测量，主要是进行变温下的电致发光谱以及电流电压特性的测量，并对测量结果给予了分析。