以GaAs为衬底的砷化物异质外延器件在半导体光电、微电子、量子调控等领域有着重要的应用前景。通过自组织生长方式获得的低维量子结构的显示出优越的光电性质,其最主要的应用是InAs/GaAs量子点器件。为了克服自组织生长量子点成核位置随机、以及生长尺寸不均匀的缺点,通常方法是制备图形化衬底外延生长有序量子点结构,制备过程中不免引入缺陷和杂质,影响量子点的光电性能。我们通过多光束激光干涉原位辐照图形化诱导生长的有序量子点,不引入杂质和晶格缺陷。本论文以分子束外延(MBE)生长InAs/GaAs(100),过程中导入单光束纳秒脉冲激光,对GaAs和In As浸润层表面进行辐照,实现生长过程中的原位调控。在对GaAs(100)表面的激光原位辐照研究发现,紫外脉冲激光辐照GaAs表面会引起As原子大量脱附,在表面形成富Ga结构,脱附效率随着脉冲激光能量的增加而增加。通过反射高能电子衍射观察到表面再构由2×4变为4×2,并在富As的环境下逐渐恢复到稳定的2×4再构,恢复过程随着激光能量密度增加恢复曲线发生变化。在多脉冲激光作用下,Ga原子聚集成Ga滴结构,在退火过程中由于Ga滴的液相外延和纳米自钻孔效应在表面形成深度低于GaAs衬底表面的纳米环。在量子点生长过程中,利用脉冲激光辐照浸润层发现,浸润层表现为表面原子层的明显移除和出现较浅的纳米孔洞结构。原子层脱附是由于光致电激发,且在高温下In原子不稳定,脱附的In原子作为缺陷复合中心加剧了原子层的脱附。由于激光辐照导致In原子脱附,量子点的成核时间出现明显推迟。在较高能量密度作用下产生纳米孔,纳米孔化学势能较低,量子点在此处优先成核。