随着现代移动通信、数字家电、雷达等设备的快速发展,SMT技术的发展,各主要元器件已经进入片式化的发展时期。电子元器件微型化、小型化趋势也对其核心配套器件-中高压片式电容器耐压性、容温系数、制造成本等方面提出了更高的要求。 本论文系统的研究了SrTiO3基和(Ba,Sr)TiO3基陶瓷Y5V型中高压瓷料。分别通过改变Bi2O3·3TiO2的加入量、不同方法合成的MgTiO3的加入量、Ba/Sr比以及烧结制度,制备较佳电性能的中高压电容器陶瓷。 SrTiO3-Bi2O3·TiO2(SBT)陶瓷是目前制造中高压陶瓷电容器和低损耗电容器的主要瓷料之一。本文以SrTiO3为基方,通过改变Bi2O3·TiO2和MgTiO3的加入量得到电性能较好的SBT。陶瓷。(Ba,Sr)TiO3(BST)陶瓷具有可调的介电性能,是介电材料的研究热点之一。基于中高压片式陶瓷电容器的低成本、无铅化的发展要求,以及中高压片式陶瓷电容器材料的研究现状和存在问题,本文同时以BST为基方,采用氧化物固相反应法,通过Bi2O3·3TiO2的加入降低烧结温度、容温系数；并在此配方的基础上进行改变Ba/Sr比的研究。论文研究了烧成制度对电容器陶瓷性能和结构的影响。结果表明：烧结温度1260℃,保温时间1h时,配方为0.9(0.95SrTiO3-0.05Bi2O3·3TiO2)-0.1MgTiO3的SBT基电容器陶瓷综合性能最佳,ε=697.175,tgδ=12×10-4,Eb=7.42KV/mm,TCC=+19～-5％；烧结温度1220℃,保温时间1h时,组分为0.95((Ba0.7Sr0.3)0.85Ca0.15)TiO3-0.05Bi2O3·3TiO2的电容器陶瓷综合性能最佳,ε=1702.249,tgδ=24×10-4,TCC=-3～-21％,Eb=6.5KV/mm,均可以用于制造Y5V型中高压陶瓷电容器。