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金属Ge材料的制备研究近年来在国内外受到广泛关注,其中包括纳微尺度Ge粒子、纤维和薄膜材料。本论文通过研究六方晶型GeO2粉末与氨水的化学反应,合成出了高浓度、高稳定性的锗酸根离子前驱液。使用还原剂。NaBH4,在室温下还原此锗酸根离子前驱液,合成出了纳微尺度Ge纳米材料,并对各类材料的微观形貌、结构和生长机制进行了研究。通过改变NaBH4与GeO2的比例在相同条件下进行反应,在比例为4-6时获得了结晶性较好的Ge材料。通过不同反应时间和烘干温度条件下的实验发现制得结晶性较好Ge材料的反应时间为12小时以上,烘干温度为120℃。研究发现制备Ge纳米材料的最佳工艺条件为:前驱液中Ge02的浓度为3%。NaBH4/GeO2摩尔比为5,还原时间24小时,120℃烘干。NaBH4还原锗酸根离子前驱液12小时得到的Ge粒子为球型(20-50 nm),24小时为蠕虫状。粒子此形状的变化符合奥斯瓦尔德熟化机制。以NaBI-14还原锗氨溶液所得氢化的Ge溶胶为原料,通过干燥和蒸镀可以得到致密Ge薄膜材料。薄膜由直径在100纳米左右的粒子组成。随着蒸发温度的升高,致密Ge薄膜中粒子的结晶性随之提高,薄膜厚度增加。Ge薄膜的拉曼光谱在300 cm-1左右有一个尖锐的峰,对应着晶态Ge的,在265-270 cm-1左右有一个强度较弱的峰,对应着非晶态的Ge,随着蒸镀温度的升高非晶峰逐渐消失,与XRD结果相一致。Ge薄膜材料由325nm波长激发产生的发光峰主要集中在693nm到835 nm之间,峰的最高点位于753 nm左右。Ge薄膜的拉曼和荧光性质与纯Ge单晶不同,是由Ge薄膜生长时形成的缺陷和晶格内应力效应引起的。我们所制备的Ge薄膜为p型半导体,空穴浓度的数量级为1023cm-3,迁移率为60cm2.V-1.s-1。