自石墨烯发现以来,二维材料因其独特的性质,被越来越多的人关注。由于二维材料超薄的特性,可以弥补目前硅基电路短沟道效应的影响,所以其在电学方面有很好的应用前景。本文使用常见的二维材料如石墨烯、二硫化钼等,制备出场效应晶体管,测试其性能,并且使用晶体管制备出混频器、放大器等电路结构,展示二维材料在电路方面的应用前景。首先针对石墨烯材料,使用化学气相沉积的方法制备出大面积单层石墨烯材料,用于后续晶体管的制备。石墨烯为沟道的射频晶体管的制备采用“倒置工艺”,先制备埋栅及源漏,后制备沟道,这样能够减小工艺流程对石墨烯造成的破损及沾污,保证晶体管的性能优异。而对于二硫化钼等材料,则使用机械剥离的方法进行材料准备,并且使用常用的先制备沟道再制备源漏及栅极的方式来构建晶体管。对于制备好的石墨烯场效应晶体管,在测试其性能后,根据测试性能搭建了双平衡混频器电路,此电路结构能够通过差分形式来提高混频器的线性度,同时减小由于工艺原因导致晶体管性能不一致对电路的影响。最终测得混频器的三阶交调输入为12.7 dBm。同时,使用石墨烯场效应晶体管搭建四节分布式放大器电路,此电路结构能够通过多节的增益叠加,弥补石墨烯由于没有禁带造成的无法达到饱和从而无法进行放大功能的不足之处。仿真结果表明,该电路能够达到3 GHz的带宽及平稳的7 dB的增益,这为石墨烯在射频电路中的应用做了一个有益的尝试。