反应离子刻蚀（RIE）工艺，是MEMS加工工艺中使用最广泛的技术手段之一。开发RIE模拟软件可以降低MEMS器件设计与研制成本，缩短研发周期：并可通过改变模拟条件，如射频功率、气体压力、刻蚀温度，得到不同的模拟结果，以此来选择最佳工艺条件。　　 RIE本质上反映了反应气体与刻蚀材料之间的物理化学反应结果，是粒子行为的综合反映。粒子行为具有随机性，粒子数量具有一定分布规律，因此可用Monte Carlo方法模拟粒子（包括离子和中性粒子）的运动特性，包括速度、能量、运动方向以及粒子流量分布等，从而在刻蚀物表面处得到准确的粒子分布，使刻蚀模拟更准确。　　 本文的工作以Monte Carlo方法为基本模拟手段，研究开发了针对RIE工艺的模拟软件。利用流体力学模型及鞘层等效电路模型确定出RF鞘层的特性，包括鞘层的电压及电场的时空分布等；重点研究了离子与中性粒子在RF鞘层中的运动过程，并判断粒子到达表面后的运动状态，确定粒子的有效性，从而确定到达刻蚀表面并对刻蚀有效的粒子流量分布；将粒子流量分布代入刻蚀速度计算公式，求得在刻蚀表面某点处某时刻的局部刻蚀速率，利用Euler算法得到刻蚀图形。开发的软件能够较精确的模拟反应离子刻蚀过程，能够模拟反应离子刻蚀的Lag效应，能够模拟不同刻蚀气体、不同刻蚀材料、不同射频功率以及不同温度等条件下的刻蚀。　　 本文首先简单介绍了刻蚀技术及Monte Carlo方法，接着简单介绍了MEMS加工中常用的干法刻蚀工艺：然后介绍了反应离子刻蚀的常用模型以及常用模拟算法，在此基础上，总结出论文中使用的模拟模型。文中对各部分理论分析都给出了详细的算法与步骤，并对各部分结果都作了相应的解释，并且给出了模拟中的相关参数。　　 本文采用MATLAB语言编制模拟软件，并使用线算法模拟反应离子刻蚀图形。