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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有直接宽带隙(室温下3.37 eV)，属于六方纤锌矿结构。ZnO的禁带宽度宽，激子结合能为60meV，远高于其它宽禁带半导体材料。ZnO激子在室温下是稳定的，可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。另外将ZnO与MgO形成半导体合金薄膜，可以达到随Mg组分不同调节ZnMgO合金半导体禁带宽度的目的。所以，ZnMgO在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力，如紫蓝光发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等。由于本征的ZnMgO材料呈n