MXenes是一类新型二维材料,具有优异的导电性、高亲水性以及良好的加工性,目前已在电化学储能、传感器、通信、生物医药、致动器等领域展现出潜在的用途。尤其是在电磁屏蔽领域,MXenes基于自身的高导电和层状结构特性,逐渐成为治理电磁污染的最佳材料之一。然而真空过滤、流延或刮涂得到的MXene（Ti3C2Tx）薄膜密度可高达4 g cm-3,极大地限制了其在需要轻质化材料的航空航天和智能便携式电子设备中的应用。通过在MXene薄膜层间构建丰富的孔隙,并使骨架结构保持良好的导电连续性,是实现轻质高效电磁屏蔽特性的关键。一方面,致密MXene片层之间产生的孔隙增加了更多的层间空间和大量电磁波散射活性界面,可显著延长电磁波在材料内部的传输路径和增加反射次数,进而提高电磁波的有效衰减。另一方面,致密的表面和内部多孔的特殊结构有利于多孔MXene材料的实际应用。基于此,本文利用酸碱中和诱导MXene薄膜凝胶化构筑出了三维多孔MXene薄膜。高导电的多孔框架结构使MXene薄膜的电磁屏蔽效能提升至73d B,加之其较低的密度(0.7 g cm-3),因此这种三维多孔MXene薄膜的绝对屏蔽效能高达25445 cm~2 g-1。利用MXene的高光热转化效应,将阳光进行聚焦并照射MXene薄膜,可实现对常规致密MXene薄膜的快速发泡。该过程中阳光诱导MXene产生的光热作用使其层间的自由水瞬间气化,进而赋予MXene层间连续的蜂窝孔结构。所制备的多孔MXene薄膜具有轻质、高电导率(≈1000 S cm-1)和一定的柔韧性,同时还展现出较高的疏水性与环境稳定性。因此,10μm厚的多孔MXene薄膜的绝对屏蔽效能高达88333 d B cm~2 g-1,可与目前大多数复杂工艺生产的多孔MXene材料相媲美。此外,使用市售激光雕刻机,通过精确控制光强度和位置对特定区域进行照射,实现了多孔MXene薄膜复杂结构的可控构筑。