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摘要：当前,集成电路正向着高速、高集成方向发展,为了提高信号传输质量,降低介电损耗导致的功耗增加和集成电路的层间介质寄生电容,因此,亟需开发新型低介电常数、耐高温的介质材料。聚酰亚胺(PI)是一种综合性能出众的高分子材料；双介孔SiO2具有低介电常数；介孔TiO2具有高的热稳定性。因此,选择PI和无机介孔材料分别作为低介电复合材料的基体和填料。本文研究结果表明：采用模板法在弱碱水溶液中成功制备了双介孔SiO2；采用水热法成功制备了介孔TiO2；通过原位法制备PI/双介孔SiO2复合材料,TG(热重分析)、UV-vis(紫外-可见光谱分析)、吸水率及介电常数等性能分析表明,以双介孔Si02为掺杂相,采用原位法合成的PI复合材料耐热性能好(起始分解温度均大于500℃,远大于纯PI材料)；双介孔SiO2的加入拓宽了PI复合材料的紫外光吸收波长,在可见光区,复合材料具有较好的透明性；复合材料的吸水率大大降低(BPI体系由1.248%下降到0.854%,PPI体系由1.235%下降到0.781%)；双介孔Si02的加入使PI复合材料的介电常数大大降低(BPI体系最低值为2.386,PPI体系最低值为2.374)。通过原位法,以偶联剂改性介孔TiO2制备PI/介孔TiO2复合材料。TG、UV-vis、吸水率及介电常数等性能检测分析表明,以介孔TiO2为掺杂相,采用原位法合成的PI复合材料耐热性能好(起始分解温度均大于500℃,远大于纯PI材料)；介孔TiO2的加入使得PI复合材料的紫外光吸收波长变窄,在可见光区,复合材料具有较好的透明性；复合材料的吸水率大大降低(BPI体系由1.248%下降到0.856%,PPI体系由1.235%下降到0.843%)；高介电常数的介孔TiO2的加入使PI复合材料的介电常数也增大(BPI体系最大值约5.3,PPI体系最大值约5.2)。总之,通过加入双介孔SiO2和介孔TiO2复合材料的综合性能大大提高,有望在微电子领域大规模集成电路中得到应用。