RFID是一种自动识别技术,近年来广泛应用在商品流通,军用品管理,制造流程,以及重要物品的跟踪与保护等领域。随着该技术的不断发展,其应用范围也在快速拓展,同时,作为RFID技术的基本单元的标签,也对其性能提出了更高的要求。标签芯片的设计作为实现物联网的重要技术,我国正加大对其的研究投入与市场推广。本设计采用Chartered0.18um CMOS RF工艺,对UHF RFID标签芯片的整体架构进行了规划,提出了整体指标的规划方法,对电荷泵、稳压器、振荡器、解调器都进行了详细的分析和设计。论述了对稳压器稳定电压的选取、受工艺的影响、PSRR的电流模分析方法,对其PSRR性能优化提出了有效措施,使稳压器稳定电压输出的性能提高;分析了振荡器工艺稳定性问题,对环形振荡器和弛阈振荡器进行了工艺稳定性比较,解释了一种常用驰阈振荡器结构的工艺稳定性原理,并对其工艺稳定补偿进行了分析,达到较好的频率稳定性能;对解调器的输入端进行了优化,在比较器两端采用了减小面积的二极管结构,符合高精度低成本的要求;采用了耗能较少的PSK调制方式,并对其原理进行了理论分析,使标签能够在更远的距离与阅读器进行通信。经过仿真验证,标签的前端电路整体功耗控制在5uW以下,已能够满足大多数识别系统的应用要求。由于采用了减小面积的设计方法,再加上仔细的版图规划与设计,使标签芯片面积与之前相比有所下降,在同类产品中有较强的竞争优势。提出了节省半有源芯片功耗的方法,对半有源标签的模式转换电路进行了设计。本设计对今后课题的进一步深入具有一定的指导意义,对几种子模块电路的优化都可以在实际中采用,其对工艺稳定性的讨论体现了对提高RFID标签芯片成品率的关注。