卤素钙钛矿是一类性能优异的半导体材料,具有光吸收系数大,可调的直接带隙,载流子迁移率高,缺陷容忍度高,以及制备简单等优点,在现代光电子领域具有广泛的应用。2014年MAPb X3钙钛矿纳米晶的合成被Perez-Prieto’等人首次报道后,陆续开发出了很多制备卤素钙钛矿纳米晶的技术,如热注入法、配体辅助再沉淀法,这些溶液制备方法通常需要有毒的极性溶剂来溶解化学前驱体,或需要高温以确保形成高度结晶的产物。另外,此前报道的卤素钙钛矿大多含有毒的铅元素,会造成环境污染,而且铅卤素钙钛矿对光、氧、热、湿气极为敏感,稳定性较差,局限了卤素钙钛矿的应用。因此开发简单实用,不需要有机溶剂的制备方法以及设计新型无毒/低毒的卤素钙钛矿发光材料成为当前研究的热点。针对以上问题,本论文开展了以下工作:1.在有机-无机杂化卤素钙钛矿中,光电性能主要取决于无机半导体并受有机组分的调控。我们使用三甲基溴甲基溴化铵（TMBM-Br）,和溴化铅为原料,在环境条件下不添加任何包裹试剂,通过简单研磨制备了发光的钙钛矿材料（TMBM）Pb Br3,其发光峰位于498 nm。与MAPb Br3相比,发光波长蓝移,表明A位阳离子中的卤代有机成分引起了发光波长的蓝移。此外,在制备过程中加入一定量的水和甲醇,可以增强（TMBM）Pb Br3纳米晶的荧光强度。当在0.1 mmol的原料中加入40μL水和100μL甲醇时荧光强度最大,量子产率分别达到7.6%和4.7%,为未添加时的2～3倍,推测其原因是少量水和甲醇的加入对纳米晶的表面缺陷起到了钝化的作用。（TMBM）Pb Br3纳米晶的发光波长可以通过掺杂少量氯离子来改变。2.通过热注入法合成发光的无铅卤化物双钙钛矿Rb2Ag In Cl6纳米晶。在对前驱体中配体辛胺的浓度进行优化后,Rb2Ag In Cl6纳米晶的量子产率可达到58%。Rb2Ag In Cl6纳米晶具有良好的稳定性,由于纳米晶的自组装作用,其荧光量子产率在放置24小时后增加到99%,且在放置15天后荧光量子产率仍然维持在84%。其原因可能是水分子参与形成了In OCl保护壳层,从而增强了Rb2Ag In Cl6纳米晶的荧光稳定性。另外,我们还研究了基于不同链长的烷基胺配体制备的无铅卤化物双钙钛矿Rb2Ag In Cl6纳米晶的光学性质。发现以不同链长的胺为配体得到的纳米晶的性质基本相似,具有良好的稳定性。3.经简单的配体辅助再沉淀法制备了具有优异热和紫外光照稳定性的MAPb Br3/γ-环糊精核壳结构量子点,其出色的稳定性是由于γ-环糊精对MAPb Br3纳米晶的包裹作用。除此之外,γ-环糊精出色的生物相容性让MAPb Br3/γ-环糊精纳米晶在生命医疗领域有了一定的应用价值。