CdZnTe的晶体生长、器件设计的模拟以及vfBGA封装内部芯片断裂的研究

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该文分为两部分,其中第一部分着重于CdZnTe的晶体生长研究以及共面栅器件电极的优化设计,而第二部分则主要是针对vfBGA集成电路芯片在外加载荷作用下断裂问题的研究.研究结果如下:在第一部分中,采用有限元法对CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了坩埚下降速度对晶体生长速度、固液界面形状及固液界面附近轴向温度梯度的影响.集成电路器件的尺寸已进入深亚微米阶段,CSP封装技术已成为半导体界关注的热点.在第二部分中,我们针对vfBGA器件内部芯片在外加载荷作用下的断裂问题进行了研究.
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