基底温度等因素对薄膜生长影响的Monte Carlo模拟研究

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薄膜材料是一类重要的功能材料,在当代高技术中有着极其重要的应用。研究薄膜生长的理论对于发展新性能的新型材料及提高传统薄膜材料的质量和性能有着一定的指导作用。基于计算机技术而发展的数学建模和模拟是薄膜生长理论研究的一类重要方法。本研究论文参考己有的生长模型,结合薄膜生长理论及实验结果,建立了一个带有缺陷基底的三维Monte Carlo模型,研究了基底温度、粒子能量、粒子入射率、粒子行走步数对Cu(100)面的薄膜生长初期的影响,得到许多有意义的结果。首先,介绍了薄膜生长模拟的方
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