热电材料能实现热能与电能之间的直接相互转换，在废热回收发电及热电制冷领域应用广泛。由于具有组成元素环境友好、性能优异等优点，SnSe基热电材料近年来受到热电领域广泛关注。相比于SnSe单晶，SnSe多晶的热电优值（zT）相对较低，提升其zT值很有必要。另外，SnSe多晶往往采用耗时、耗能的高温熔融退火法制备，其高成本不利于实际应用。因此，本文采用“自下而上”的溶液合成法制备成分可调控及复合还原氧化石墨烯（rGO）的SnSe基热电材料，通过对其电、热输运性能进行相关研究，为提升SnSe基多晶材料的热电性能奠定基础。
　　本文的主要研究内容如下：
　　①采用温和简易溶液法原位制备了一系列rGO含量可调控的SnSe/rGO纳米复合材料。多种表征手段证明了氧化石墨烯（GO）被成功还原为rGO并引入至SnSe基体中。rGO/SnSe界面增强了声子散射，降低了晶格热导率，且rGO的引入可提升母体材料低温区电导率。例如，rGO含量为0.5wt%的样品的电导率在473K下达到8000S m-1，比未复合样品（3000S m-1）提高了50%以上；最终在rGO含量为0.1wt%的样品获得最高功率因子（0.6mW m-1K-2）。在所有样品中，rGO复合量为0.3wt%的样品在773K和823K分别获得了最低晶格热导率（0.36W m-1K-1）和最高zT值（0.91），该zT值比母体提升了47%。
　　②利用多步水相阴离子交换法结合快速烧结制备了SnS0.1Se0.9-xTex(x=0.02,0.05,0.08)四元化合物。源于室温载流子浓度提升，少量Te固溶能有效提升母体材料低温区电导率。SnS0.1Se0.88Te0.02在373K获得最高电导率，为5760S m-1，相较于母体（~4000S m-1）提高了41%，并在423K获得最高的功率因子（0.54mW m-1K-2）。样品的热电性能通过Te固溶量调控得以优化，最终SnS0.1Se0.88Te0.02样品的峰值zT达到0.43（773K）。
　　③通过一步溶剂热法结合烧结工艺合成了SnSe1-xSx(x=0,0.1,0.2,0.3)三元微米片材料。源于S与Se原子的质量和尺寸差异，S固溶SnSe样品在低温区的晶格热导率明显降低。其中，SnSe0.7S0.3的室温晶格热导率为~1.1W m-1K-1，比母体（1.35W m-1K-1）降低了~20%。同时，由于S成功固溶到Se位增加了载流子浓度并最终提升了母体材料电导率。例如，SnSe0.9S0.1样品的室温电导率为~4500S m-1，比母体SnSe（~3000S m-1）增加了50%，峰值功率因子达到0.58mW m-1K-2。通过S固溶量调控，最终在SnSe0.9S0.1和SnSe0.8S0.2样品获得了0.7的zT值（773K），比SnSe（0.55）提高了30%。