在长余辉材料中,能量以填充余辉陷阱的方式储存到材料中,并且陷阱的填充通常需要借助高能光的激发。这种高能光激发的特性限制了长余辉材料在一些领域（例如生物成像光学探针）的发展。近些年,为了扩展长余辉材料的应用,人们开展了许多研究工作。本论文基于上转换激发的陷阱填充机制,设计了一种新颖的陷阱“写入”和“读出”技术,即利用同一低能激发光辐照填充和调控余辉陷阱。具体实验研究如下:（1）基于上转换激发的陷阱填充机制和发光动力学速率方程,设计了一种新颖的陷阱填充和陷阱排空方法。利用同一激发光源蓝光LED辐照LaMgGa₁₁O₁₉:Cr³⁺长余辉材料填充和调控余辉陷阱。实验结果表明,高功率密度（0.5 W·cm-2）的蓝光辐照该材料时,可以使电荷填充陷阱;低功率密度（0.1 W·cm-2）的蓝光辐照该材料时,可以排空陷阱中的束缚电荷。（2）对LaMgGa₁₁O₁₉:Cr³⁺长余辉材料的陷阱深度和上转换激发机制展开实验探究。蓝光LED(0.5 W·cm^-2)辐照LaMgGa11O19:Cr³⁺长余辉材料后,测量该材料衰减100 h时的热释光曲线,并利用初始升温法拟合该曲线。实验结果表明,该材料具有较强的储能能力,陷阱深度为1.1 eV。为了进一步研究LaMgGa₁₁O₁₉:Cr³⁺长余辉材料的上转换激发机制,相同功率密度的蓝光、绿光和红光激光分别辐照该材料后测试一系列的热释光曲线。实验结果证明该材料的上转换激发机制是激发态吸收上转换。