VDMOS的正向导通压降较小、功率适用范围广,现如今在功率器件市场上占据着相当重要的地位,在电路设计中VDMOS器件与双极型二极管的配套使用也在不断发展。然而,双极型二极管与MOS器件在配套使用中存在着诸多缺陷。例如双极型二极管的反向恢复时间较长就严重影响了两者在高频领域的配套使用,双极型二极管的缺陷越来越限制了电子器件的更新换代以及技术提升。本文的目的是为了设计优化出一种电学性能更加优秀的新结构多元胞MOS-D二极管器件。该MOS-D结构的功率二极管融合了MOSFET技术优点,是由若干个栅源短接的VDMOS管“元胞”并联构成的,具有正向导通压降小、温度特性好、高温反向漏电小、抗雷击能力强等优点。本文首先对MOS-D二极管的工作原理进行了分析介绍。在理论分析以及综合考虑各种性能参数的基础之上设置了MOS-D二极管的具体结构参数,然后利用Silvaco软件初步建立了MOS-D二极管模型,在初始MOS-D二极管模型的基础上探究单一方面因素改变对器件产生的影响,并且在单一方面优化的基础之上再进行该项过程。在综合考虑各个方面影响因素的基础上,不断进行优化得到具有稳定以及优良参数特性的MOS-D二级管结构参数。最终使得MOS-D二极管元胞的开启电压为0.3V,并且MOS-D二极管元胞在正向电压为0.45V条件下电流量级为10^-6A,反向电压为100V条件下漏电流级别为10^-11A。在MOS-D二极管元胞并联数量达到十万数量即正向电流为10 A时,得到了MOS-D二极管的正向压降低于0.45V,反向漏电流低于20μA。