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稀磁半导体兼具电子的自旋与电荷的双重属性，是制备自旋光电器件的材料基础，对信息的传输、处理以及存储具重要意义。基于铁基超导体系掺杂调控的新型稀磁半导体，实现了电荷与自旋的独立调控。 本论文首先基于密度泛函理论的第一性原理计算，采用Material Studio软件中的CASTEP模块对(Y1-xSrx)(Cu1-yMny)SO体系分别进行建模、计算电子结构和光学性质（包括介电函数、吸收系数和反射系数等）。实验上制备了(Y1-xSrx)(Cu0.925Mn0.075)SO系列样品，并进行了结构、低温电阻、磁化曲线及PL谱测量，为在(Y1-xSrx)(Cu1-yMny)SO体系探索性能优异的新型稀磁半导体打下良好基础。具体如下： 1.对于不掺杂的YCuSO母体进行了第一性原理计算的可靠性分析及结构优化，然后计算了其电子结构和光学性质。结果显示：YCuSO材料的反射率和吸收系数峰值分别处于 90.8nm和146.5nm，静态介电常数为 7.1。 2.对于双位等量掺杂的(Y0.75Sr0.25)(Cu0.75Mn0.25)SO体系，Sr离子掺杂Y位引入电荷，Mn掺杂Cu位引入自旋。构建2×1×1超晶胞，找出掺杂后的最优化结构；据此考虑自旋后计算能带结构和态密度，进而计算并分析了光学性质。结果显示：(Y0.75Sr0.25)(Cu0.75Mn0.25)SO反射峰位于123.5nm（约96%），吸收峰位于70.7nm （2.6×103/cm）和168.8nm（1.8×105/cm），静态介电常数为5.2。 3. 对于(Y0.875Sr0.125)(Cu0.875Mn0.125)SO体系，除了构建2×2×1超晶胞外，其他计算方法与(Y0.75Sr0.25)(Cu0.75Mn0.25)SO体系相同。结果显示：反射峰位于100.0 nm （约76%），吸收峰位于66nm（1.2×104/cm）和138.9nm（2.2×105/cm），静态介电常数为6.3。 比较发现：掺杂后，反射和吸收峰位“红移”，静态介电常数减小。 4.实验上利用固相反应法制备了(Y1-xSrx)(Cu0.925Mn0.075)SO(x=0,0.05,0.075,0.1)体系样品。XRD拟合分析显示晶格常数a和c随Sr掺杂量的增加而变大。低温电阻随着掺杂量的变化由半导体性向金属性过渡。磁化曲线显示当x=0.05和0.1，体系有可能是稀磁半导体。PL谱表明在固定Mn含量为0.075时，随着Sr掺杂量的增加，峰型半高宽增加，强度降低。