随着硅基光电子学的迅速的发展,应用光信号代替电信号作为信息的载体越来越受到关注,而硅基光电子器件凭借其成本低、工艺兼容性好、微纳光学特性良好等优点,是集成光学中最有潜力的材料平台,因此它成为了国内外研究的热点。而基于SOI的环形谐振腔结构具有结构微小、系统稳定、相互干扰度低、品质因数高等优势,已经成为硅基光子器件中重要的基础原件,在很多领域都可以应用。最近一种在光学谐振腔中实现类电磁诱导透明效应成为研究热点,但大多数研究都是基于二氧化硅微球谐振腔腔,玻璃微盘谐振腔,光纤谐振腔等,在硅基微环谐振腔上实现这种效应的研究不多。本文主要分析了谐振腔耦合诱导透明效应的实现条件,参数控制,然后在SOI基片上利用高精度电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀等工艺进行了波导微环结构的设计加工,最后利用光栅垂直耦合的方式进行了光纤与芯片的耦合对接,在并联双环谐振腔结构中观察到了诱导透明效应,并且分析了两环间不同间距对类电磁诱导透明效应的影响。工艺中单环Q值达到5.1×104,类电磁诱导透明效应的透明峰的带宽约为500MHz。